[00259121]一种PZT/Si扩散键合方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710653766.3

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：科小易

所在地：福建厦门市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明属于先进制造技术领域，提供了一种PZT/Si扩散键合方法。首先，在PZT块材表面制备电极层，并在电极层表面沉积PZT膜，形成PZT元件；然后，在一定温度条件下，通过对PZT元件与硅衬底施加压力，使PZT膜中的铅元素与硅发生扩散反应，形成具有一定深度和高结合力的扩散键合层，从而实现PZT元件/硅的稳固结合；最后，利用后续机械研磨和抛光工艺，获得所需厚度的PZT压电层。该键合方式PZT/Si的结合强度高、工艺简单、实施方便、成本低，利于商业化推广应用。

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