[00251718]基于FPGA的多MCU读写NANDFlash的实现方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610272689.2

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明提供一种基于FPGA的多MCU读写NANDFlash的实现方法，利用FPGA强大的逻辑运算和方便的时序电路设计能力，巧妙地设计控制开关Act_A、Act_B……Act_N寄存器型变量作为MCU_1、MCU_2……MCU_N选通NANDFlash的开关，Act_A、Act_B……Act_N只有高低电平两种状态，彼此互锁，同一时刻只能有一个控制开关为高电平状态，保证同一时刻只有一个MCU读写NANDFlash；利用FPGA作为中间桥梁，不仅简化了硬件电路结构，降低了成本，也解决了越来越多的电子设备以及工业领域中多MCU访问存储设备冲突的问题；同时FPGA又能方便地进行时序电路的设计，使得多MCU读写NANDFlash的控制程序具有广泛的移植性，大大简化了编程的难度。

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