[00251566]一种面阵巨磁阻磁传感器及其制造方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610023905.X

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

　　本发明公开了一种面阵巨磁阻磁传感器及其制造方法

　　阻磁传感器包括数据采集处理单元和巨磁阻阵列。数据采集处理单元包括电源模块、地址选择器、模拟前端和模数转换器；电源模块通过地址选择器连接至巨磁阻阵列，巨磁阻阵列经过模拟前端模块连接至模数转换器，巨磁阻阵列包括256个采用纳米多层膜结构的蜿蜒型电阻形式的巨磁阻磁传感器，组成16*16面阵形式的巨磁阻阵列。本发明基于标准CMOS集成电路工艺，先对外部的数据采集处理单元电路进行单独加工，外部电路加工完成后，再通过两步光刻处理加工所述巨磁阻阵列。本发明的面阵巨磁阻磁传感器可以实现精确的平面磁场高速同步检测，并且小型化、集成化程度高，产品工艺兼容、便于批量生产。

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