[00251397]通过螺旋位移放大结构测量逆挠曲电系数的装置及方法
交易价格:
面议
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201511017022.X
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
西安交通大学
所在地:陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
通过螺旋位移放大结构测量逆挠曲电系数的装置及方法,该装置包括螺旋状的挠曲电材料,分别位于挠曲电材料内、外弧面的内电极与外电极、位于挠曲电材料下端部的反光膜,位于挠曲电材料上端部与挠曲电材料固定的固定杆;信号源输出控制信号并送入高压电源,内、外电极与高压电源相电连接,高压电源向内、外电极输出高压电源,通电后材料由于逆挠曲电效应,产生微小形变,材料的螺旋机构放大了形变幅值并在位于挠曲电材料下端部产生位移的输出;激光位移计射出测量光源与位于挠曲电材料下端部的反光膜相对放置,材料形变时便可测量形变量,结合材料结构、力电参数和形变量,便可计算出挠曲电材料的逆挠曲电系数。