[00251372]一种测量二次电子发射系数的平板型收集装置及测量方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410023001.8

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种测量二次电子发射系数的平板型收集装置及测量方法。测量装置主要由转动平台、样品台、加热装置、法拉第筒、电流放大器及收集极等组成。法拉第筒内壁镀有一层碳，与偏压装置及电流放大装置相连，用于测量入射一次电流。收集极为平板结构，上表面涂有一层荧光粉，方便调节和聚焦电子束光斑；下表面镀有一层碳，抑制在收集过程中电子倍增现象的发生。收集极与偏压装置及电流放大装置相连，用以测量材料表面发射的二次电子流。通过转动装置可以实现多块样品的同时测量，节省了测量时间。加热装置及温度控制装置可以将样品温度精确控制在30～300℃范围，用以研究温度对二次电子发射系数的影响。本发明为测量二次电子发射系数提供了一种新的电子收集装置，实现不同温度下二次电子发射系数的测量。

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