[00251244]一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片及制备方法
交易价格:
面议
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201510131706.6
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
西安交通大学
所在地:陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片及制备方法,芯片包括基底中部的薄膜,四条浅槽沿着薄膜上部边缘分布,四条浮雕梁设置于相邻两条浅槽端部之间且与基底相连,浮雕梁的上表面、薄膜的上表面与浅槽的底面组成了梁槽结合台阶式薄膜结构,四个压敏电阻条布置在四条浮雕梁上,金属引线将压敏电阻条连接成半开环惠斯通电桥,电桥的输出端与焊盘连接;四个凸块沿薄膜下部边缘均匀分布,且与基底相连;四个质量块与凸块间隔有距离,凸块连接在薄膜上,制备方法是将SOI硅片高温氧化制作压敏电阻条,获得欧姆接触区制作金属引线和焊盘;然后制作四条浮雕梁及浅槽,最后将基底背面与防过载玻璃键合,本发明具有灵敏度高、线性度好等特点。