[00251243]一种分段质量块应力集中结构微压传感器芯片及制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510131116.3

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

一种分段质量块应力集中结构微压传感器芯片及制备方法，传感器芯片包括基底上的薄膜，四条浅槽沿着薄膜上部边缘分布，四个压敏电阻条布置在相邻两条浅槽端部之间，金属引线将四个压敏电阻条连接成半开环惠斯通电桥，四个凸块沿薄膜下部的边缘分布，且与基底相连；四个质量块与凸块间隔有距离，凸块连接在薄膜上，质量块与凸块以及两者之间的间隙构成了分段质量块应力集中结构；制备方法是对清洗过的SOI硅片制作压敏电阻条，再获得P型重掺杂硅作为欧姆接触区，然后制作浅槽，制作传感器的背腔结构层，最后将基底与防过载玻璃键合，本发明传感器芯片具备高可靠性、高精度、高线性度、高动态特性等特点，且便于加工、成本低。

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