[00251228]一种浮雕式岛膜应力集中结构微压传感器芯片及制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510130249.9

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

一种浮雕式岛膜应力集中结构微压传感器芯片及制备方法，传感器芯片包括基底中部设有的薄膜，四个浮雕岛沿着薄膜上部边缘分布，并通过四个浮雕根部与基底连接，四个压敏电阻条布置在浮雕根部的上表面，金属引线将压敏电阻条相互连接成半开环惠斯通电桥，四个凸块沿薄膜下部边缘均匀分布，且与基底相连；四个质量块与凸块间隔有距离，凸块连接在薄膜上，制备方法是使用HF溶液清洗的SOI硅片，对SOI硅片进行高温氧化，制作压敏电阻条，获得欧姆接触区，然后制作金属引线和焊盘；再进行光刻，形成四个浮雕岛与四个浮雕根部以及传感器的背腔结构层；最后将基底背面与防过载玻璃键合，本发明具有灵敏度高、线性度好、精度高、动态性能好等特点。

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