[00251227]一种基于超高电阻温度系数非晶态碳膜的温度传感器芯片

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710471207.0

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

一种基于超高电阻温度系数非晶态碳膜的温度传感器芯片，包括镀有氮化硅层的硅片基底，硅片基底表面采用离子蒸汽沉积超高TCR非晶碳膜，超高TCR非晶碳膜表面溅射第一金电极，在硅片基底表面制作二氧化硅保护层，二氧化硅层刻蚀使第一金电极裸露，将硅片基底固定在PCB板上，使用金丝键合连接第一金电极和第二金电极,最终通过引线孔接入电路，本发明制备简单，制备过程中耗费能量低，经济效益好；可与MEMS工艺融合，设计MEMS集成传感器，机械性能优越，具有低摩擦系数、耐腐蚀，耐磨等优良特性。

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