[00251219]一种钨铼薄膜热电偶传感芯片的封装结构及其制作方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610098465.4

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种钨铼薄膜热电偶传感芯片的封装结构及其制作方法，该封装结构衬底上表面制有与传感器芯片尺寸相当的圆形凹陷，二者通过耐高温玻璃紧密键合；封帽内部上表面溅射有吸气剂，封帽通过键合环与衬底的上表面紧密键合；高温补偿线与传感器芯片的热电偶电极构成连接，凸出的高温补偿线缠绕在衬底下部的螺柱处固定；封帽、传感器芯片、耐高温玻璃、衬底和高温补偿线共同与管外壳相向装配在一起，通过耐高温玻璃键合连接。本发明能够解决钨铼高温下易失效，热电偶薄膜受冲蚀脱落等造成的现有温度传感芯片测量范围小、寿命低的问题，实现可采集稳定信号的输出功能。

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