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[00246658]CdSiP2晶体的腐蚀剂与腐蚀方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610453782.3

交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股

联系人： 四川大学

所在地：四川成都市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要：本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀剂，由溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水配制而成，溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水的体积比为：溴素:甲醇:硝酸:盐酸:纯净水＝(0.003～0.005):2:4:4:2。本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，步骤依次如下：(1)将抛光、清洗、干燥处理后的CdSiP2晶片浸入腐蚀剂中，在常压、室温下超声振荡腐蚀5～10分钟取出；(2)将从腐蚀剂中取出的CdSiP2晶片浸入质量浓度为5％的NaOH溶液中清洗以终止反应，再用纯净水清洗至中性；(3)将清洗后的CdSiP2晶片在常压下自然干燥或烘干。使用上述腐蚀剂和腐蚀方法对CdSiP2晶体进行腐蚀具有很好的择优腐蚀性，腐蚀后的CdSiP2晶片在扫描电镜下可以清晰地显示出某一晶面的腐蚀坑形貌。

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