[00225462]一种SiC-MOSFET的高速隔离驱动保护电路

交易价格： 面议

类型： 实用新型专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201620319583.9

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：徐州中国矿业大学大学科技园有限责任公司

所在地：江苏徐州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本实用新型公开了一种SiC‑MOSFET的高速隔离驱动保护电路，包括高速CMOS数字隔离电路、高速驱动电路、栅源极过压保护电路和负压产生电路。高速CMOS数字隔离电路可以实现输入端和驱动电路的严格电位隔离，并能保证驱动的快速性；高速驱动电路可提供强大的驱动电流；栅源极过压保护电路可以防止栅源极出现过电压；负压产生电路给栅源极间提供一个负电压，使SiC‑MOSFET可靠关断。本实用新型可用在高频电路中快速驱动SiC‑MOSFET，兼具快速性、隔离性，以及可靠的保护功能。

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