交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 通过中试
专利所属地：中国
专利号：201220068994.7
交易方式： 完全转让
联系人： 如皋福大工程技术研究院有限公司
所在地：江苏南通市
本实用新型涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器（专利号201220068994.7），其特征在于：包括一单电子晶体管SET、一PMOS管以及一NMOS管，所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连，单电子晶体管SET的栅极与PMOS管的漏极相连，所述NMOS管的漏极与所述PMOS管的漏极连接，本实用新型在具有较低功耗的同时，能够实现输出电压全摆幅以及较低的传输延迟，可以在数字电路设计中得到更好的应用。
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