交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：ZL200910100884.7
交易方式： 完全转让
联系人： 浙江高校产学研联盟中心——海宁中心
所在地：浙江金华市
本发明涉及场发射显示技术领域，特别是一种多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管阵列，包括阳极板、阴极板、荧光粉和多孔硅片，其中，阳极板由导电玻璃和引线一组成，阴极板由玻璃和引线二组成，多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成。在阴极板的玻璃上设有m列银浆导电引线二，每列上固定n片多孔硅片；在阳极板的导电玻璃上把导电层腐蚀成n行引线一，荧光粉涂履在阳极板玻璃正面的引线一上，每行引线上涂履m块荧光粉浆料，每块荧光粉浆料的面积尺寸比阴极板上多孔硅片略大；多孔硅场发射发光二极管阵列的阴极板与阳极板之间的间隙通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。
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