交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201310202050.3
交易方式： 许可转让
联系人： 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地：江苏苏州市
本发明公开了一种长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器，包括顺次连接的下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层，其中，所述有源区采用GaNAsBi/GaAs多量子阱结构。本发明可降低激光器阈值电流，提高激光器增益，实现无制冷工作，适合面发射激光器等多类激光器，其生产成本低于InP基激光器，且该多量子阱激光器有源区不含Al，可降低生长工艺的难度，提高激光器的良率和寿命。
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