交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201310153922.1
交易方式： 许可转让
联系人： 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地：江苏苏州市
本发明公开了一种盖帽层粗化光电器件的制备方法，包括：提供具有粗化结构的模板，并将所述模板与用以形成光电器件盖帽层的有机涂覆层结合，使模板上的粗化结构转移至有机涂覆层，而后对有机涂覆层进行固化处理，并将模板与有机涂覆层分离，获得具有粗化结构的盖帽层。其中，所述有机涂覆层覆设于光电器件表面。所述粗化结构包括凹陷和/或凸起的规则或不规则图形结构。本发明提供的盖帽层粗化光电器件的制备工艺简单可控，适用于工业生产，且所获粗化结构可调，能有效提升光电器件芯片的正面出光率，增加光电器件芯片整体的取光效率。
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