交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201010545653.X
交易方式： 许可转让
联系人： 福州大学
所在地：福建福州市
一种窄带隙聚吡咯甲烯光电功能聚合物材料及其制备方法
本发明公开了一种窄带隙聚吡咯甲烯光电功能聚合物材料的制备方法，属于共轭聚合物材料的合成技术。该制备方法包括以下过程：将3-丁酰基吡咯与对十四烷氧基苯甲醛在酸性条件下反应制备聚[(3-丁酰基吡咯)-2,5-二(对十四烷氧基苯甲烷)]（PBPDTBA）；将PBPDTBA利用四氯苯醌进一步醌化得到聚[(3-丁酰基吡咯)-2,5-二(对十四烷氧基苯甲烯)]（PBPDTBE）。本发明制得的聚吡咯甲烯可以溶于氯仿、苯等低沸点溶剂中，溶解性和成膜性优良，光学带隙和电化学带隙分别为1.84eV和1.60eV，采用Z-扫描法测量其三阶非线性光学极化率达到1.22×10-8esu。
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