交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201210525706.0
交易方式： 许可转让
联系人： 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地：江苏苏州市
本发明提出一种半导体微台面列阵的测量装置和方法，该方法基于宽谱热光源照明干涉仪的光学测量装置与方法，结合光学相干层析技术与衍射度量技术的特点，可无损、快速的测量微台面列阵的表面形貌并准确提取微台面列阵的周期、横向尺寸与深度等几何信息，满足微台面列阵的测量要求。
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