交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200510018221.2
交易方式： 许可转让
联系人： 华中科技大学
所在地：湖北武汉市
飞秒脉冲激光制备β－FeSi2半导体薄膜的方法
本发明提供了一种飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法，将脉冲激光沉积薄膜装置抽真空，气压10-5～10-3Pa，以FeSi2合金为靶材，将靶材和基片置于脉冲激光沉积薄膜装置内，靶材和基片平行，且相距20～50mm，基片加热到20℃～700℃，然后保温，以1012～1015W/cm2的峰值功率密度的激光束照射靶材，喷出的等离子体在基片上沉积，沿基片晶面外延生长形成薄膜。本发明适合于不同的基底，在较低的温度下，短时间内合成大面积的、均匀的单相β-FeSi2薄膜，所制备的薄膜有较好的发光和光伏特性，解决了作为红外发光二极管和太阳能电池所需的优质β-FeSi2薄膜的技术难题。
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