交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200410061385.9
交易方式： 许可转让
联系人： 华中科技大学
所在地：湖北武汉市
本发明公开了一种薄膜微桥结构及其制作方法。其桥腿与桥面采用氧化硅和氮化硅复合薄膜制成,均位于同一平面内,桥腿的一端与桥面相连,另一端架在金属桥墩上,桥面由桥腿和桥墩支撑悬浮在衬底上,桥面与衬底之间构成空腔。其步骤包括:在衬底表面旋涂光敏聚酰亚胺薄膜,再进行光刻处理,形成孤岛和桥墩孔,再进行亚胺化处理;用金属填充桥墩孔;再在孤岛和金属桥墩上依次沉积氧化硅和氮化硅薄膜,形成复合薄膜层;在复合薄膜层上光刻出微桥结构图形,刻蚀至聚酰亚胺薄膜层,形成桥面和桥腿图形,并去除桥面和桥腿图形底部的聚酰亚胺薄膜,形成微桥结构。本发明解决了由于桥腿弯曲而导致的应力集中问题,并获得了具有较低应力的复合薄膜。
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