[00134519]室温单电子晶体管的制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：201110059597.3

交易方式： 完全转让

联系人：中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

所在地：江苏苏州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明涉及一种室温单电子晶体管的制备方法。该方法为：在衬底表面上加工形成单电子晶体管的源极、漏极和栅极，并通过不同试剂的修饰处理令该衬底表面上的电极区域和非电极区域分别负载异种电荷，从而在衬底上形成静电漏斗结构；至少将该衬底表面置于纳米粒子的分散液中，令纳米粒子在静电漏斗的引导下排布在单电子晶体管的源极与漏极之间；对衬底进行干燥处理，并在该衬底表面上覆设绝缘层。本发明的优点至少在于：克服了当前单电子晶体管量子点尺寸过大、量子点排列无序及不具备大规模制备单电子晶体管的能力等方面的问题，同时降低了单电子晶体管的生产成本。

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