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[00111555]GaN基LED外延片及其制备方法

交易价格: 面议

类型: 专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN200510035445.4

交易方式: 完全转让

联系人: 华南师范大学

所在地:广东广州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

  本发明涉及半导体光电子器件领域,特别是GaN基LED外延片及其制备方法。该GaN基LED外延片的结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、低温缓冲层及p型层,其特点是p型层为空穴浓度为2×10 18 ~6×10 18 cm -3 的掺受主的GaP层。p型层空穴浓度增大,可降低p型层电阻,外加电压下能增加空穴的注入,并使电流扩整更均匀,大大提高LED性能,提高照明效率。

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