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[00111523]ppn型发光晶体管及其制备方法

交易价格: 面议

类型: 专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN200710028069.5

交易方式: 完全转让

联系人: 华南师范大学

所在地:广东广州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

  本发明涉及一种基于III-V族化合物或者II-VI族化合物的高发光效率的ppn型发光晶体管,包括衬底、缓冲层、n型布拉格反射层、n型电子发射层、发射电极、多量子阱有源发光层、窄带隙p-型基区层,与p-型基区层通过欧姆接触形成的电极、宽带隙p+型集电极层以及与p+型集电极层欧姆接触的电极;本发明还涉及所述ppn型发光晶体管的制备方法;本发明采用了p+型、p-型、n型晶体管结构;具有p-型基极可以控制发光。

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