[00011696]TDR-GY652型高压单晶炉
交易价格：
面议
类型：
非专利
技术成熟度：
正在研发
交易方式：
完全转让
联系人：
西安理工大学
所在地：陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
技术投资分析：
主要内容：
TDR—GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下，采用石墨电阻加热方式，将GaAs、InP等材料合成熔化，已LEC法从熔体中拉制大直径(4"～6") GaAs、InP单晶的专用设备。
技术水平：
TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备，具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能，具备三段加热能力，可满足生长6" GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平，具有自主的知识产权。
主要技术参数:
1．熔料量： 40kg
2．晶体直径： 6"
3．加热功率 120×55×35kW
4．最高加热温度 1600℃
5．主炉室尺寸 φ652×1000mm
6．冷炉极限真空度 1Pa
7．充气压力 10MPa
技术的应用领域前景分析：
市场前景:
目前，国内市场上还没有具备生长6" GaAs单晶能力的高压单晶生长设备，TDR—GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白，满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。
效益分析：
本技术市场应用范围广，利润丰厚，效益十分可观。
厂房条件建议：
无
备注：
服务方式：
出售产品、其它形式的合作面议。
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