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成果
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一种小粒径氮化物窄带绿色荧光粉及其制备方法

所属分类:新型材料产业

所属单位:兰州大学

成果简介:本发明公开了一种小粒径氮化物窄带绿色荧光粉及其制备方法,该窄带绿色荧光粉为微米级锂氮化物荧光粉,化学式Ba1‑xLi2Al2Si2N6:xEu2+,既能被近紫外激发又能被蓝光激发。按化学计量比称取各种原料,金属钡、金属铝、金属铕在氩气电弧熔炼炉中多次翻转熔炼,得合金前驱体;粉碎研磨成合金粉末,加入硅化合物和锂化合物,气压烧结炉内氮气气氛下煅烧,研磨,制得小粒径氮化物窄带绿色荧光粉。该制备方法利用合金氮化法,在相对较低的温度和短的反应时间内得到颗粒组成分布均匀的纯相产物,以更加容易的反应条件制备出微米级发光效率好且半峰宽更窄、可用于Micro/Mini‑LED器件的荧光粉。

一种八极永磁体结构天线内置式RF离子源

所属分类:新型材料产业

所属单位:兰州大学

成果简介:本实用新型公开了一种八极永磁体结构天线内置式RF离子源,属于离子源技术领域,有效解决了现有天线外置式RF离子源存在功率利用效率低和高频电磁辐射信号对紧凑型中子发生器电源及控制系统干扰的问题,包括放电腔体,所述放电腔体外侧壁上通过磁场线包支架设置有馈入端磁场线包、八极永磁体和引出端磁场线包,放电腔体的尾端可拆卸安装有束流引出端封装组件,其有益效果在于:通过采用前后端磁场线包和八极永磁体耦合的方式,产生的耦合磁场可形成有效地约束磁场,减小了离子源放电腔内高密度等离子体对离子源放电腔体的轰击概率,延长了离子源的使用寿命,同时通过利用束流引出端封装组件实现引出端的可拆卸安装,便于RF内置天线的安装更换。

一种具有离子质荷比甄别功能的脉冲束团成形装置

所属分类:新型材料产业

所属单位:兰州大学

成果简介:本实用新型公开了一种具有离子质荷比甄别功能的脉冲束团成形装置,属于脉冲离子束团成形装置技术领域,有效解决了现有脉冲束团成形装置传输线较长、工程造价较高的问题,包括扫描电极和切割板,所述扫描电极与切割板之间设置有偏置电极,偏置电极和扫描电极均固定安装在接地外壳内部,且所述偏置电极和扫描电极上均设置有高频高压真空密封穿通件,所述偏置电极和扫描电极下方的接地外壳上均固定设置有接地电极,其有益效果在于:通过减少了现有脉冲束团成形装置中的分析磁铁,缩短了束流传输线长度,减少了工程造价,同时通过在扫描板后增加偏执电极板,实现了在将连续束切割成脉冲束团的同时,甄别出了质荷比最大束团。

一种可调谐多模双频高效率反射型偏振转换器件

所属分类:新型材料产业

所属单位:兰州大学

成果简介:本发明公开了一种基于液晶的太赫兹波段可调谐多模双频高效率反射型偏振转换器件它由周期性单元结构组成,每个单元结构由精确的顶层结构、LC混合物和金反射基底组成。在对应的液晶混合物折射率和数值模拟显示在对应的工作带宽1.03‑1.53以及1.27‑1.86太赫兹,转换器可以将入射的线性偏振波和圆偏振波转换为其相应的交叉极化波,其偏振转换率大于90%。需要提及的是,该偏振转换器可实现1.10‑1.25和1.92‑2.2THz或0.93‑1.04和1.57‑1.88THz的双频段线性偏振波向圆偏振波的转换,相对应的轴比小于3dB。另外还分析了转换器对于入射角的不敏感性,以及研究了偏振转换的物理机理。

一种颗粒增强离子交换树脂及其制备方法和应用

所属分类:新型材料产业

所属单位:兰州大学

成果简介:本发明涉及废水处理技术领域,提供了一种颗粒增强离子交换树脂及其制备方法和应用。本发明采用磷钨酸铵和/或磷钼酸铵为活性组分,以含硅无机微纳米颗粒或含钛无机微纳米颗粒为颗粒增强剂,以海藻酸钙作为载体树脂对活性组分和颗粒增强剂进行封装,所得离子交换树脂耐酸性和耐氧化性好,在高浓度硝酸环境下仍能对铯进行选择性吸附,吸附容量高,并且本发明的颗粒增强离子交换树脂机械强度好,能适应更加苛刻的工况;此外,本发明所用原料易得,制备方法简单,成本低廉。

一种单晶硅位错密度的无损检测方法

所属分类:新型材料产业

所属单位:兰州大学

成果简介:本发明公开了一种单晶硅位错密度的无损检测方法,设置仪器参数,对单晶硅片进行XRD测试;获得该单晶硅片的XRD衍射谱,经过拟合,由该衍射谱获得衍射峰的半高宽数据B;以相同的仪器测试参数对无位错标准硅样品进行XRD测试,获得标准硅样品的XRD衍射谱,经过拟合,获得仪器宽化δ;根据关系式计算单晶硅位错导致的物理宽化β;根据公式ρ=β2/(4.35b2)计算所测单晶硅的位错密度。该无损检测方法以XRD测试方法为基础、可对位错密度进行定量化测试表征的理论,实现单晶硅中位错密度的定量计算表征。操作简单,数据处理方便,结果可靠同时对待测样品无损。

一种具有双通带的宽带频率选择吸波体

所属分类:新型材料产业

所属单位:兰州大学

成果简介:本实用新型公开了一种具有双通带的宽带频率选择吸波体,包括:自上而下依次排列的损耗层和传输层,且损耗层和传输层之间设置有间隙;损耗层包括方环金属贴片、T形金属贴片、折叠方环金属贴片、耶路撒冷十字金属贴片和第一介质板,方环金属贴片位于第一介质板上表面中心位置,方环金属贴片外表面电连接四个T形金属贴片,T形金属贴片上顺向电连接有电阻元件,方环金属贴片内侧包围有折叠方环金属贴片,耶路撒冷十字金属贴片位于第一介质板下表面中心位置;传输层包括第二介质板、位于第二介质板中心的第一缝隙型谐振器、位于第二介质板四角的四个第二缝隙型谐振器。本实用新型结构紧凑、工作频带宽、极化稳定,可用于电磁隐身和电磁兼容领域。

一种超交联聚合物@铜钴双金属氢氧化物复合材料及其制备方法和应用

所属分类:新型材料产业

所属单位:兰州大学

成果简介:本发明一种超交联聚合物@铜钴双金属氢氧化物复合材料及其制备方法和应用,属于催化氧化技术领域。所述超交联聚合物@铜钴双金属氢氧化物复合材料,通过以超交联聚合物为基底,原位生长层状铜钴双金属氢氧化物,形成超交联聚合物@铜钴双金属氢氧化物复合材料;所述层状铜钴双金属氢氧化物中铜和钴的摩尔比为1:1;所述超交联聚合物由4‑氰基吡啶、苯、二甲氧基甲烷和三氯化铁交联得到。所制得的复合材料可用于苯乙烯环氧化反应的研究,为催化苯乙烯环氧化反应提供一种低成本、高效、有前景的催化剂,且该复合材料具有催化性能强、选择性好、制备方法简单等优点。

一种基于划痕法的二代高温超导带材界面强度测试方法

所属分类:新型材料产业

所属单位:兰州大学

成果简介:本发明公开了一种基于划痕法的二代高温超导带材界面强度测试方法,通过化学腐蚀去除铜稳定层和银保护层,露出银保护层下方的超导层和基底层,将高温超导带材粘贴固定至纳米划痕实验台上,并使露出超导层的一面朝上;使用球形压头通过斜坡加载模式开展纳米划痕实验,确定界面剥离临界荷载Lc、超导涂层与压头的滑动摩擦系数��;通过显微镜观测划痕形貌,确认界面开裂发生位置与扩展区域,通过统计学方法确定发生完全剥离的平均划痕起裂宽度dc;根据Laugier公式计算界面强度。划痕测试方便、快捷,并且直接作用于超导薄膜表面,不需要焊接或者粘接,有效避免非界面弹塑性变形的影响,测试结果重复性高,计算所得界面强度数据离散度低。

一种硅衬底上生长半极性(11-22)面氮化镓的方法

所属分类:新型材料产业

所属单位:兰州大学

成果简介:本发明涉及一种硅图形化衬底上外延生长高质量半极性(11‑22)面氮化镓的方法。本发明通过改进的高温‑低温氮化镓层生长法,先在图形化硅衬底的(1‑11)面上生长一层氮化铝,然后高温生长一层氮化镓填上图形沟槽,最后再低温生长氮化镓,最终得到具有光滑表面的半极性(11‑22)面氮化镓外延层。该方法制得的样品能够有效改善极性面氮化镓具有的量子限制斯塔克效应,减小了量子限制斯塔克效应在光电半导体器件对发光性能的影响。

一种制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法

所属分类:新型材料产业

所属单位:兰州大学

成果简介:本发明涉及一种制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法,通过湿法腐蚀的方法,在30‑60℃的15wt%‑25wt%KOH溶液中20‑50min腐蚀后,可以在(113)表面的硅衬底上刻蚀出了分布均匀、边界清晰可见的斜刻凹槽,凹槽各面分别为(1‑11)面,(011)面,(‑11‑1)面,凹槽的深度与温度和时间呈正相关。该方法为硅衬底提供了不同的晶面以及不同的形貌,为硅衬底凹槽提供更多选择性。硅衬底不同的表面有不同的性质,本发明的方法为后续制作半导体器件提供了新型的衬底表面选择。

二硫戊烷基超分子油凝胶及其作为润滑油的应用

所属分类:新型材料产业

所属单位:兰州大学

成果简介:本发明提供二硫戊烷基超分子油凝胶及其作为润滑油的应用。将遥爪型聚合物分散在基础油中,或者将遥爪型聚合物与无机纳米颗粒分散在基础油中,通过1,2‑二硫戊烷基团之间发生动态共价开环反应而形成油凝胶;所述遥爪型聚合物是两端基含α‑硫辛酸酯的聚甲基丙烯酸长链烷基酯,记作LmS2nLm,其中L嵌段包含侧链1,2‑二硫杂环戊烷,S嵌段是油溶性的聚甲基丙烯酸长链烷基酯,2n是S嵌段的聚合度,m是L嵌段的聚合度。该超分子油凝胶具有长期稳定性,良好的润滑性能与抗磨损性能,可作为润滑油应用。

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