技术简介： 本发明公开了一种超临界二氧化碳制备硫化镉纳米颗粒的方法，是在水溶液中，以乙酸镉、硫化钠、还原性谷胱甘肽为原料，在超临界二氧化碳条件下合成了硫化镉纳米颗粒，反应温度为45-75℃、压力为1…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于纳米材料制备技术领域，具体涉及一种具有介孔中空二氧化硅纳米材料的制备。该介孔中空二氧化硅纳米材料，采用表面活性剂为模板，四乙氧基硅烷为硅源，在碱性环境下溶胶凝胶制备介孔二…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型属于化工机械技术领域，提供一种大规模量产氧化石墨烯薄膜的设备，所述设备包括反应釜、传送带、促凝剂喷雾系统、薄膜软化系统、薄膜烘干系统和切割系统。通过两个进料口，将原料加入…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种石墨烯材料及其修饰方法与应用。该石墨烯材料由支撑层粘结基底和石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层表面设有至少一层界面修饰薄膜层，所述界面修饰薄膜层的材料为绝缘宽禁带材料或…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种层层自组装的氧化石墨烯复合薄膜的制备方法，先将氧化石墨烯水分散液涂布到基底上，将带有氧化石墨烯水分散液的基底浸入凝固液中，随后取出基底进行烘干，再重复将氧化石墨烯水…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种多孔石墨烯的制备方法，属于石墨烯超电容材料技术领域。本发明技术方案包括：在氧化石墨烯的水溶液中加不同比例的双氧水，然后再加入一定量的离子液，充分搅拌均匀后，水热反应得…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及石墨烯材料的合成技术领域，提供一种氮掺杂石墨烯的制备方法。所述方法具体包括如下步骤：采用改进Hummers法制备连续大片氧化石墨烯；利用水热法将氧化石墨烯制备多孔三维结构石墨烯…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种提高碳纳米管石墨化程度的方法，该方法利用铝热反应原理放出的大量的热处理碳纳米管，提高石墨化程度，减少缺陷，优化碳管结构的方法；该方法操作简单，具有快速加热、低能耗和…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种制备选择性还原氧化石墨烯的方法及利用其制备电存储器的方法，通过银盐的催化，在较低的温度下，实现了氧化石墨烯片层上含氧官能团的选择性的还原；制备的器件的存储性能远高于…… 查看详细 >
技术简介： 选择性还原氧化石墨烯材料及其制备方法属纳米科技领域，本发明具体涉及一种在紫外光辐照下，位阻胺类光稳定剂催化法制备可溶性还原石墨烯材料的技术。本发明提供的位阻胺类光稳定剂催化还原法具…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种以杨絮和柳絮为原料制备的碳微米管及制备方法。该碳微米管以杨絮和柳絮为原料，通过碳化方法制备碳微米管。所得到的碳微米管的外径为2～20μm，管壁厚度为0.1～1.0μm左右。本…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种超临界二氧化碳辅助制备多原子层黑磷的方法，是在无氧无水有机溶剂中，以块状黑磷为原料，在超临界二氧化碳辅助条件下随后超声合成了多原子层黑磷，反应温度为40‑70℃、压力为…… 查看详细 >
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