技术简介： 本发明揭示了一种四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法，利用晶片键合的方法，将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池单片集成，充分利用Ge电池，既直接作为四结电…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种利用石墨烯薄膜作为GaN基LED、紫外光探测器的透明导电电极及其制法与应用，该石墨烯薄膜固化结合于LED、紫外光探测器GaN基片表面。采用化学气相沉积或还原氧化法制备石墨烯透明…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种掺入石墨烯的锂离子电池正极材料的制备方法，其中正极材料的主要成分为磷酸铁锂纳米粒子，其包括以下特征步骤：首先分别制备石墨烯、氧化石墨烯、插层石墨烯，然后将石墨烯、氧…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种由四氧化三铁纳米颗粒一步制备磁性空心团簇的方法。该方法为：将油溶性四氧化三铁纳米颗粒与具有活性官能团的表面修饰剂在室温下均匀混合在三液相组成的微乳体系中进行反应，形…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种具有检测运动状态功能的远程体征参数监护系统，包括可佩带终端和远程监控中心；所述的可佩带终端主要由信号采集模块、信号转换和处理模块及通信模块集成，所述的远程监控中…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法，属于半导体测试领域，该半导体材料测量装置包括一反应腔室、一样品平台、一聚焦离子束显微镜系统与一电子束诱导感生电流测量装置；…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型揭示了一种红外探测器的读出电路，其包括含至少一个运算放大器的CTIA结构积分单元，所述运算放大器为MOS器件，其特征在于：所述积分单元内含的运算放大器为工作在亚阀值区——MOS器件…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种能够通过多种定制光源和探测器组合、用户选择光路部件、添加外围辅助设备可以实现傅里叶光谱、透射光谱、反射光谱和太赫兹电子器件光电特性等多种测试功能的太赫兹光电特性测试…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及一种平顶全反射式二次聚光匀光集成装置，该集成装置的上底面正对光源，下底面与太阳能电池相对接，其特点是该集成装置为实心玻璃，该上底面与下底面一起均为光线折射面，该上底面…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种金属与石墨烯复合催化剂的制备方法，其中复合催化剂为由氧化石墨烯与金属纳米颗粒复合而成，其制法特征为通过对任意粒径、形貌及组分的金属纳米颗粒修饰芳香环，并物理吸附在氧…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种自支撑透明高导电PEDOT薄膜及其制备方法。该薄膜由聚3，4-乙撑二氧噻吩和小分子掺杂剂构成；其制备方法为：在经亲水处理后的基片表面上涂覆含氧化剂和碱抑制剂的溶液形成有氧化…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种用于金属离子检测的分子印迹聚合物，其印迹和洗脱对象均为金属络合物离子，聚合物的印迹几何尺寸、结合点位与金属络合物离子特异性吻合。在石英微天平和表面等离子共振装置的金…… 查看详细 >
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