技术简介: 摘要:本发明提供了一种太赫兹波段的线栅结构,其包括第一圆环、第二圆环以及多根金属线,其中,所述第一圆环和所述第二圆环彼此贴合在一起,所述多根金属线等间隔夹设于所述第一圆环和所述第二…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种波导型偏振转换器,包括偏振转换波导以及与所述偏振转换波导两端耦合的输入波导和输出波导,所述偏振转换波导包括波导层、介质层和金属层,所述介质层覆设于所述波导层的…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种基于动态纳米刻划技术制作滚筒压模的方法,将具有纳米结构的平面压模与待加工滚筒表面接触,利用平面压模的断开面的边缘在待加工滚筒表面刻划出纳米尺度的线栅。本发明还…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种基于稳定偏振VCSEL为光源的光学矢量-矩阵乘法器系统,属于光计算机领域。本发明通过在VCSEL出射孔处加工一个亚波长光栅,从而大大减小了VCSEL光源出射光的偏振噪声,使其…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种碳纳米管复合材料的制备方法,包括步骤:S101、制备包含PAN、PVP以及醋酸镍的纺丝前驱体溶液;S102、将纺丝前驱体溶液通过纺丝工艺制备获得PAN/PVP/醋酸镍复合纳米纤维;…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种复合纳米碳纸及其制备方法。该纳米碳纸以碳纳米纸为骨架网络,表面沉积MnO2金属氧化物,外层包裹石墨烯,属柔性复合膜材料;其制备方法是将碳纳米管分散于溶剂中,随后进…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开一种场发射器件,包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层,其中,所述…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供了一种离子迁移管的制作方法,在硅基衬底表面沉积金属电极,并对硅基衬底进行刻蚀,以形成独立的一对叉指电极,再在玻璃基片上开设与叉指电极所在区域对应的孔,将玻璃基片与硅…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法。在一典型实施方案中,所述制备方法包括s11、在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属;s12、在氮气气氛下退火,形成欧…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该制备方法包括:在衬底上生长形成主要由作为势垒层的第一半导体层和作为沟道层的第二半导体层组成的异质结构,其中所述第一半导体…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型公开了一种应用于晶圆级半导体器件的散热结构,包括与所述晶圆级半导体器件连接的至少一散热壳体,所述晶圆级半导体器件包括晶圆级基片及由生长在所述基片一面上的外延层直接加…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型公开了一种基于透明基板的半导体发光器件封装结构,包括:透明基板,安装于该透明基板的第一面上的至少一半导体发光芯片,以及,安装在该透明基板上的、主要由导热材料组成的反…… 查看详细 >
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