技术简介： 本发明提供了一种图案化碳纳米管阴极的透射式X射线源结构，其包括碳纳米管、导电底座、绝缘罩、铍窗、导电环和球管，将碳纳米管作为X射线源集成到导电底座的凹槽内并由绝缘罩压紧固定，通过对导…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种CT系统及其冷阴极X射线管。上述的冷阴极X射线管包括壳体、阳极以及循环组件；壳体开设有腔体；阳极位于腔体内，阳极与壳体连接使腔体分隔为第一部分和第二部分，第一部分填充有冷…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源，至少包括机壳、阳极和阴极，其中，所述阳极的数量在50个至90个之间，所述阴极的数量在50个至90个之间，所述阳极和阴极均呈环形阵列对应设…… 查看详细 >
技术简介： 本申请公开了一种冷阴极聚焦型X射线管，包括壳体、阴极单元、栅极单元、聚焦单元和阳极单元，所述壳体具有内腔，所述栅极单元和所述聚焦单元由下到上设置在所述壳体内，并将所述内腔由下到上分…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及等离子体源单元、等离子体源装置及其应用。所述等离子体源单元包括能源供应系统和微波谐振腔系统，所述微波谐振腔系统包括同轴式微波谐振腔、金属天线、同轴金属柱、空心金属圆柱和金…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种碳纳米管复合薄膜场发射阴极的制备方法，包括：S1、制备碳纳米管/TiC/Ti复合材料；S2、将碳纳米管/TiC/Ti复合材料和纳米填充颗粒按质量比5：1-1：5混合，混合物加入到有机溶剂…… 查看详细 >
技术简介： 本申请公开了一种石墨烯场发射阴极制备方法，包括将石墨烯、金属可溶性无机盐按照预定比例加入有机溶剂中，制得带正电荷的石墨烯电泳溶液；使用导电基板作为阴极，分别将阳极和所述阴极置于所述…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种三维芯片中的布线路径优化方法，基于哈密顿最小路径的原理，采用多次迭代不断优化的方法，能够有效实现缩短布线距离、提高布线效率，节省成本，并且减小器件的功率损耗等效果。本…… 查看详细 >
技术简介： 本申请公开了一种碳纳米管发射阴极制备方法及碳纳米管发射阴极，包括将石墨烯、作为催化剂的金属可溶性无机盐按照预定比例加入有机溶剂中，制得带正电荷的石墨烯电泳溶液；使用导电基板作为阴极…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种植入式芯片的封装结构及其制备方法。所述植入式芯片的封装结构，包括基底、以及贯穿所述基底的多个通孔，所述基底表面、所述通孔壁面均设置有金刚石层，所述金刚石层包覆的所述…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供的半导体功率器件的散热封装结构，具有盛装冷却液的散热壳体，散热壳体的盖板的内侧设置散热组件进而形成流体通道，同时，盖板的另一侧成为半导体功率器件的基板，即，本发明中散热封…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供的集成功率控制单元的封装结构，不按照传统功能模块来分布发热元件，而是将全部发热元件打散分布，综合考虑实现相同以及不同功能的发热元件的使用情况以及功率等问题，将实现同一功能…… 查看详细 >
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