技术简介： 本发明提供一种凸点下金属化层构件及制备方法，所述构件包括位于半导体衬底金属焊盘上方的第一层金属、位于所述第一层金属上方的第二层金属、位于所述第二层金属上方的第三层金属，其中所述第二…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种对称的集成层叠变压器，由衬底、自下而上依次设于衬底上的第一至第三层介质以及分别置于第一层介质中的网格状屏蔽栅、第二层介质中的初级线圈和第三层介质中的次级线圈构成；其…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种多叠层式纳米压电器件,由至少五层叠层而成矩形结构体，依顺序是氮化镓‑聚苯乙烯基质层Ⅰ、n型银掺杂氧化锌纳米线阵列层Ⅰ、氮掺杂石墨烯层、n型银掺杂氧化锌纳米线阵列层Ⅱ和氮…… 查看详细 >
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本发明公开了一种含有Fe的纳米薄膜材料，包括绝缘基底以及镀在绝缘基底表面的纳米薄膜；所述纳米薄膜的化学式FexCry(BizSb1-z)2-x-ySe3表示，其中0
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本发明公开了一种含Ni的纳米薄膜材料，包括绝缘基底以及镀在绝缘基底表面的纳米薄膜；所述纳米薄膜的化学式NixCry(BizSb1-z)2-x-ySe3表示，其中0
技术简介： 本发明公开了一种柔性场效应晶体管及其制备方法。所述柔性场效应晶体管包括间隔设置在柔性衬底上且位于同一平面的源极和漏极，所述源极和漏极之间经半导体导电沟道电连接；覆盖于所述半导体导电…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种柔性场效应晶体管，涉及半导体技术领域。所述柔性场效应晶体管包括：间隔设置在柔性衬底上且位于同一平面的源极和漏极，所述源极和漏极之间经半导体导电沟道电连接，覆盖于…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种纳米有机-无机复合光伏材料，它包括如下重量百分比的组分：PVB树脂6%～10%；无水乙醇65%～80%；SnS：10%～25%；SnO2：0%～10%；KH550硅烷偶联剂1%～2%。本发明还公开了上述纳米…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种负极为纯铝的二次离子电池及制备方法，该铝电池包括正极、负极、电解液和连接所述正极及负极的隔膜，所述正极为石墨烯与镍钛合金构成的复合片，由两层组成，一层为NiTi合金，另…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种复合电极构成的高性能铝离子电池及制备方法，该电池包括正极、负极、电解液和连接所述正极及负极的隔膜，所述正极为石墨烯-镍的复合材料，其中镍为纳米颗粒镶嵌于石墨烯中，镍…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高放电电压的二次铝离子电池及制备方法，包括正极、负极、电解液和连接所述正极及负极的隔膜，所述正极为石墨烯与镍构成的复合片，由两层组成，一层为镍，另一层为石墨烯；所述…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种含石墨烯电极的二次离子电池及制备方法，该电池包括正极、负极、电解液和连接所述正极及负极的隔膜，所述正极为石墨烯；所述负极为铝硅合金，其中硅的质量含量为5-8％；所述电…… 查看详细 >
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