技术简介： 本发明公开了一种太赫兹调制器、太赫兹调制器的制备方法和调谐方法。该太赫兹调制器包括：铜谐振环阵列（1）、二氧化钒薄膜（2）、二氧化硅基底（3）、宽带太赫兹源（4）和泵浦激光源（5），其…… 查看详细 >
一种具有 ITO/Pd 双层结构复合电极的 MoS2/Si 异质结光伏器 件及其制备方法
技术简介： 本发明公开一种具有ITO/Pd双层结构复合电极的MoS2/Si异质结光伏器件，该器件为复合层层状结构，由上至下依次包括ITO透明导电层、Pd金属层、MoS2薄膜层、上下表面均具有SiO2钝化层的Si单晶基片和…… 查看详细 >
一种二硫化钼缓冲层硅 n-i-p 太阳能电池器件及其制备方法
技术简介： 本发明公开了一种二硫化钼/缓冲层/硅n-i-p太阳能电池器件，其为层状结构，由上至下依次包括Pd金属前电极、MoS2薄膜层、缓冲层、p型单晶Si基片和金属In背电极，其中，缓冲层为具有宽禁带的介质材…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种稠油热采封堵汽窜用体膨颗粒的制备方法，具体过程：将质量浓度为20-60%的聚合单体水溶液，复合交联剂，引发剂，加入反应釜中，在55-75℃下反应2-3h得聚合物胶块，将聚合物胶块…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种交联剂及交联可控耐温凝胶的制备方法，交联剂的合成步骤为：苯酚和甲溶液按物质的量之比为1：3.0-3.1依次加入反应釜中，搅拌均匀，加入乙二胺催化剂，65-70℃油浴加热，反应过…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了四（三氟乙氧基）自由酞菁和四（三氟乙氧基）酞菁钴两种目标化合物，制备方法如下：先将4-硝基-1,2-二氰基苯、无水碳酸钾和2,2,2-三氟乙醇作为初始原料，制备成前置配体4-(2,2,2-三…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了二-[四（三氟乙氧基）酞菁]铕双层配合物和三-[四（三氟乙氧基）酞菁]铕三层配合物两种目标化合物，制备方法如下：先将4-硝基-1,2-二氰基苯、无水碳酸钾和2,2,2-三氟乙醇作为初始原…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种单分散铁硼纳米化合物的制备方法。其步骤为：1）将耐高温有机溶剂升温至120度，并抽真空排除除杂质；2）然后将羰基铁、硼的前驱物注射进有机溶剂中，升温并保温0.5-10小时；3)…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种超强耐腐蚀性钕铁硼磁体的制备方法。其步骤为：1）母合金采用铸锭工艺制成钕铁硼铸锭合金或采用速凝薄片铸造工艺制成钕铁硼速凝薄片；2）将母合金氢爆或机械破碎，然后通过气流…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种自修复涂层用微胶囊的制备方法，具体是利用原位聚合反应制备以聚脲醛为囊壁、以聚合物树脂和缓蚀剂的混合物为囊芯的微胶囊。其首先将一定量的尿素溶解在甲醛溶液中制备预聚物，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种模拟哈氏合金在溴胶环境下腐蚀的试验方法，属于溴胶环境腐蚀的模拟技术领域。该方法首先对试样进行预处理，然后配制正丁烷溶液作为浸渍溶液，将预处理后的试样浸泡在浸渍溶液中…… 查看详细 >
技术简介： 配位聚合物膜材料及其在二氧化碳分离方面的应用,属于膜材料及其分离技术领域。本发明采用原位或二次生长的方法在不同的溶剂热条件下得到了自支撑和载体支撑的配位聚合物膜材料。结果表明相对于C…… 查看详细 >
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