[00298635]一种具有 ITO/Pd 双层结构复合电极的 MoS2/Si 异质结光伏器
件及其制备方法
交易价格：
面议
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过小试
专利所属地：中国
专利号：ZL201610902913.1
交易方式：
完全转让
许可转让
技术入股
联系人：
中国石油大学（华东）
所在地：山东青岛市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开一种具有 ITO/Pd 双层结构复合电极的 MoS2/Si 异质
结光伏器件，该器件为复合层层状结构，由上至下依次包括 ITO 透
明导电层、Pd 金属层、MoS2 薄膜层、上下表面均具有 SiO2 钝化层
的 Si 单晶基片和金属 In 背电极。其制备方法，主要采用直流磁控溅
射技术、利用高能电子依次轰击不同靶材表面：首先 MoS2 靶材、
然后 Pd 靶材，最后到 ITO 靶材，以溅射出大量离子并先后在经过钝
化处理后的 Si 单晶基片表面上沉积叠加成多层结构材料；并制作出
背电极层即成。本发明的具有 ITO/Pd 双层结构复合电极的 MoS2/Si
光伏器件，其光转换效率，相对于现有技术的同类产品，提高了
100%以上。本发明的工艺简单、控制简便，成品率高且制造成本
低，适于工业化生产。
微信公众号
