[00337071]一种高熵碳化物(VNbTaMoW)C5-SiC复相陶瓷
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面议
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN202211235921.7
交易方式:
许可转让
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所在地:宁夏回族自治区银川市
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技术详细介绍
本发明属于高熵碳化物复相陶瓷技术领域,具体涉及一种高熵碳化物(VNbTaMoW)C5SiC复相陶瓷。本发明复相陶瓷是以金属碳化物和碳化硅(SiC)粉末为原料,采用放电等离子烧结,在较低温度下制得。本发明复相陶瓷的基体(VNbTaMoW)C5为面心立方结构,第二相SiC均匀分布。本发明中SiC的引入细化了高熵相的晶粒,所得复相陶瓷的高熵相的晶粒得到了细化,复相陶瓷的硬度可达1718 GPa,且断裂韧性好,同时还具有优异的耐磨性,其平均比磨损率为(5.78.1)×108 mm³/N•m。