交易价格： 面议
类型： 非专利
交易方式： 资料待完善
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本项目用溅射+硒化法制备铜锌锡硫硒（CZTSSe）薄膜,针对CZTSSe太阳电池的异质结进行深入研究。解决了溅射硒化法制备CZTSSe薄膜的反应机理问题,明确前驱体预制层的溅射顺序及薄膜开裂的原因。同时探明,由于S的饱和蒸气压高于Se的,因此通过硫化物靶材溅射硒化制备CZTSSe薄膜是不可行的。在不引入其他薄膜的条件下,成功实现了对MoSe2的可控制备,解决了CZTSSe薄膜电池的欧姆接触问题。当Cu含量较低时,发现SnSe2液相辅助生长CZTSSe晶粒,并实现了吸收层对光的有效利用,研制出效率为10.4%的CZTSSe电池。同时用Zn（S,O）做缓冲层,研制出效率为7.21%的Zn（S,O）/CZTSe薄膜太阳电池,为目前国际最高效率。
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