交易价格： 面议
类型： 非专利
交易方式： 资料待完善
联系人：
所在地：
本发明公开了一种基于碳化硅的环状肖特基接触式核电池及其制作方法,主要解决现有肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层（1）、放射性同位素源层（3）、环状半透明肖特基接触层（2）、掺杂浓度为5×1014～5×1015cm-3的n型SiC外延层（5）、掺杂浓度为5×1017～5×1018cm-3的n型SiC衬底（6）和欧姆接触电极（7）,放射性同位素源层周围是SiO2钝化层（4）。该肖特基接触层（2）是采用中心为一个圆,周围是以该中心为圆心的多个圆环结构,该环状结构沿半径方向设有矩形条,矩形条的两端分别与中心圆和外圆环相接;放射性同位素源层（3）覆盖在环状肖特基金属层除矩形条外的区域及肖特基金属层之间的SiC外延层（5）上。本发明具有能量损失小,转换效率高的优点。
Copyright © 2018 宁夏回族自治区生产力促进中心 版权所有 宁ICP备11000235号-3 宁公网安备 64010402000776号
网站访问量： 网站在线人数：0 技术支持：科易网 
微信公众号
