交易价格： 面议
类型： 非专利
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III-V族半导体材料具有很高的电子迁移率,是替代硅材料的下一代理想的沟道材料。由于很难形成高质量的高介电（high-k）氧化物/III-V族半导体界面,III-V 族半导体/高介电氧化物界面问题是整个高速电子器件发展的关键和瓶颈所在。申请人采用第一性原理的理论和实验相结合的方法,系统地研究了III-V族半导体材料与氧化物的界面原子结构与宏观电子性能的关系,提出了解决界面态钝化难题的方案,为未来发展III-V族高速电子器件提供了的理论依据。 相关成果发表在ACS applied materials ＆ interfaces （7 , 5141, 2015）,J. Mater. Chem. A （1, 1078, 2013）,ACS Nano （6, 5381, 2012;5, 4945, 2011）,Nature Communications （5, 4745, 2014）等学术期刊上。 麻省理工学院微系统技术实验室主任J. A. del Alamo教授在Nature综述里对申请人的研究成果给出了正面评价：“……界面态的起因可以通过密度泛函模拟获得…… 有意义的是,GaO钝化方案可以帮助清除任意的表面态……”。 鉴于在该领域的系统工作,申请人还参与撰写了Wiley出版社出版的高速电子器件方面专著的第13章-《III-V半导体材料表面和界面的氧化和钝化研究》。
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