交易价格： 面议
类型： 非专利
交易方式： 资料待完善
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电容薄膜表面生长宽禁带无机势垒层，提高金属电极与电容薄膜之间的界面势垒，抑 制电极处电荷注入，进而降低电导损耗。实验室前期研究基础表明，上述两种改性技 术均能够显著提升电容薄膜的高温储能性能。
成果技术特点及主要技术指标
本项目旨在掌握拥有自主知识产权的高性能电容薄膜关键制备与改性技术，开 发出面向高温、强电场等极端环境服役的高性能电容薄膜，其关键性能指标如下： 25℃： 电容薄膜介电损耗≤ 3×10E-4， 体积电阻率≥ 1×10E15， 击穿场强≥ 550kV/ mm，储能密度≥ 8J/cm3；120℃：电容薄膜介电损耗≤ 8×10E-4，体积电阻率 ≥ 5×10E14，击穿场强≥ 450kV/mm，储能密度≥ 4J/cm3，耐久时间≥ 2000 小时。
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