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类型： 发明专利
技术成熟度： 已有样品
专利所属地：中国
专利号：CN202011627096.6
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本发明涉及一种六方晶相刺盖花状ZnO/WO_3异质多级结构气敏材料的合成方法：1)将二水合钨酸钠水溶液的pH值调至1.0-1.5,然后加入结构导向剂,混匀；2)将步骤1)所得混合物于160℃-200℃条件下水热反应10-16小时,反应结束后经离心、洗涤、干燥即得。该材料结构新颖,由(001)晶面暴露的六方晶相WO_3与六方晶相ZnO棒状结构单元组成,异质多级结构及特殊暴露晶面有效改善了三氧化钨基体材料对NO_2气体的气敏特性,所制气敏元件对NO_2具有灵敏度高,响应-恢复迅速,选择性突出,稳定性好等特点,在监测领域有很强的实用性。
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