交易价格: 面议
类型: 非专利
技术成熟度: 可以量产
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所在地:四川成都市
项目概述:
随着半导体制造工艺的不断进步,电子芯片拥有更高晶体管集成度与更快的运算速度,导致芯片的释热功率不断增加。从上世纪70年代至今,微处理器的功耗增加了数百倍,释热强度也已接近100W/cm2,未来可能超过1000W/cm2,因此对电子芯片的冷却技术也提出非常苛刻的要求,这也成为了制约电子芯片发展的主要瓶颈问题之一。电子芯片冷却技术一直是相关领域的研究热点,微通道热沉是目前高功率电子芯片最主要的冷却技术,虽然微通道热沉拥有优异的换热性能,但其内部存在换热不均、热点温度过高等弊端,导致热沉应用受限,针对这一问题,授权发明专利提出一种交错逆流式结构的均温型热沉,可以解决微通道热沉换热不均的问题。

1. 热沉主体 2, 3 联箱
一种逆流式均温型热沉及电子芯片
(授权专利号:ZL202010595904.9)
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