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类型: 非专利
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所在地:四川成都市
项目概述:
石墨烯作为近年来研究的热点,其纳米条带的迷人性质被大量报道,促使研究者把目光集中在其他的二维层状材料上。二硫化钼作为过渡金属层状化合物的代表,是一种重要的二维材料。石墨烯纳米条带没有带隙,所以拥有直接带隙的二硫化钼纳米条带很自然的进入了研究者的视线,即使它的载流子迁移率低于石墨烯,但是依旧是良好的晶体管材料。同时大量计算和实验也表明二硫化钼纳米条带在光学、磁学以及催化制氢方面也有着独特而迷人的性质,二硫化钼纳米条带的研究也在这种情况的推动下不断向前。但是与理论计算相比,在实验科学方面二硫化钼纳米条带的研究进展缓慢,这主要是由于二硫化钼有两种元素,所以其纳米条带的原子比例很难控制,这为本来就难以制备的纳米条带有填了新的挑战。
目前二硫化钼纳米条带的实验报道较少,到目前并没有任何一种已知的方法可以大量制备高品质二硫化钼纳米条带。已知的几种方法合成的二硫化钼纳米条带都存在不同程度的问题,如质量较差,层数超过五层,宽度大于 100nm,边缘粗糙,实验效率差等。综上所述,构造高品质,宽度低于 100nm,层数少的二硫化钼纳米条带是有必要的。
本课题研究一种构造高品质二硫化钼纳米条带的新方法。这种方法可以在二氧化钼的衬底边缘生成出高品质的二硫化钼纳米条带。同时可以通过控制反应条件调制二硫化钼纳米条带的层数,厚度以及边缘手性。我们的研究表明这种是一种高效的方法,用于宏量制备可控二硫化钼纳米条带,并且这种方法可以应用到其他过渡金属硫化物(e.g., WS2, SnS2, VS2, 和 TiS2)纳米条带的制备中。

图一:二硫化钼纳米条带示意图
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