交易价格: 面议
类型: 非专利
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所在地:四川成都市
项目概述:
一、技术背景
宽温高介陶瓷基板材料是宽带微波组件的核心材料,一个微波组件上通常需要集成上百个超 小型大容量单层微波电容,通过电容面积的减少最终实现微波组件的小型化和高性能化,开发的 宽温高介陶瓷基板相对介电常数高、损耗小、绝缘电阻高、温度稳定性好,制作的单层电容具有 更低的串联等效电阻、更高的工作频率和更高的可靠性,能满足微波/毫米波频段电子线路的苛刻要求,技术达到国际先进水平。
二、创新点
高性能半导体陶瓷材料制备技术
高致密陶瓷材料基片半导烧结技术
薄型化陶瓷基片晶界绝缘控制技术
三、性能指标
1.介电常数23086-28969;
2.损耗角正切0.48~1.30%;
3.容量温度系数-11.36- 14.49%(-55~ 125°C) 。
四、成果成效
近年来申请发明专利4项,其中授权2项。在国内大型研究所及知名企业使用,产品介电常数高且K值稳定、材料介质损耗低、绝缘电阻高,耐电压高,能够满足微波大容量小体积芯片电容制作使用要求,可以用来制作100-10000pF小体积大容量的单层微波电容器,替代美国进口的同类产品。

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