[00328380]面向长波长LED应用的石墨烯/SiC衬底上应变弛豫GaN薄膜的外延生长

交易价格： 面议

类型： 非专利

技术成熟度： 可以量产

交易方式： 资料待完善

联系人：

所在地：吉林长春市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

　　成功在石墨烯/SiC衬底上实现了应变弛豫GaN薄膜的外延生长，并发现了其在长波长LED中的应用潜力。研究发现，石墨烯的插入极大地降低了GaN薄膜中的双轴应力，有效提高了InGaN阱层中In原子并入，使S子阱发光波长显著红移。该成果有助于推动高性能、长波长氮化物发光器件发展。相关结果以“Demonstration of epitaxial growth of strain-relaxed GaN films on graphene/SiC substrates for long wavelength light-emitting diodes”为题发表在国际顶尖学术期刊《Light:Science&Applications》。

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