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[00328042]少层石墨双炔薄膜制备

交易价格: 面议

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

联系人:

所在地:北京北京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

以石墨烯为模板的少层石墨双炔薄膜的液相范德华外延生长法。以原子级平整的二维石墨烯为基底,采用极低的单体浓度(0.04 mM),在室温下进行偶联反应,通过溶液相范德华外延的方法,成功制备得到了大面积均匀连续的高质量、少层石墨双炔薄膜,高分辨透射电镜和光谱表征证实了其高质量单晶结构。


该石墨双炔薄膜为ABC堆垛的三层结构,电子衍射显示石墨双炔/石墨烯薄膜具有两套单晶衍射点,分别对应于石墨双炔和石墨烯的单晶衍射图案,结果表明生长在石墨烯上的石墨双炔与下层石墨烯的晶格取向夹角为14°。

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