[00325833]microLED衬底激光剥离技术
交易价格：
面议
类型：
非专利
交易方式：
资料待完善
联系人：
中国科学院半导体研究所
所在地：北京北京市
- 服务承诺
- 产权明晰
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资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一、项目简介 microLED技术，即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，可看成是户外LED显示屏的微缩版，继液晶显示之后，microLED是新一代迭代技术的有力竞争者，而microLED芯片尺寸只有原来主流LED芯片的百分之一，达到几十微米量级。由于芯片尺寸小，传统的植球打线方式将严重降低芯片的发光比例，剥离掉蓝宝石衬底的垂直结构必定是microLED的主流芯片结构。microLED衬底激光剥离技术的基本原理是通过高能量激光束辐照，在蓝宝石/GaN界面形成局部高温，分解气化GaN材料。温度场分布决定了激光剥离技术中脉冲激光能量密度等关键参数的选取，是实现高效、低损伤激光剥离的重要参数。microLED衬底激光剥离技术利用紫外激光辐照衬底，熔化缓冲层，实现宝石衬底的剥离。通过选择合适的激光器类型和发射波长，激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离，还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。 二、技术特点 通过选择合适的激光器类型和发射波长，激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离，还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。此外，其剥离下来的蓝宝石衬底可以回收后重复利用多次。microLED衬底激光剥离技术由于减少刻蚀、磨片、划片等工艺，而且剥离出来的蓝宝石衬底可以重复运用，有效地节约工艺成本。microLED衬底激光剥离技术同时也可以用于薄膜结构LED以及HEMT等电力电子器件等衬底剥离。半导体所半导体照明研发中心采用microLED衬底激光剥离技术，成功的实现了GaN外延片与蓝宝石衬底的剥离，成品率高于90％。三、专利情况 已申请国内发明专利8项，授权3项。 四、应用领域及市场前景 一旦microLED技术成为新一代显示技术，microLED衬底激光剥离技术将推动microLED开拓巨大的显示市场，具有广阔的市场前景。对于芯片制造企业来说需要新建半导体工艺厂房，购置半导体工艺设备，预计需5000万元的产业化经费。 五、合作方式知识产权许可；技术转让、技术服务。
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