交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 通过中试
专利所属地：中国
专利号：CN105253888A
交易方式： 资料待完善
联系人： 昆明理工大学
所在地：云南昆明市
本发明涉及一种提高工业硅冶炼用生物质炭还原剂比电阻的方法，属于有色金属冶炼技术领域。将生物质破碎至粒度为0.5~5cm，然后加入铜渣催化剂混合均匀得到混合物料;在隔绝空气或通入惰性气体条件下，将混合物料进行碳化，冷却至室温后与铜渣分开制备得到生物质炭;在惰性气氛下并通入活化剂水蒸气，将得到的生物质炭在温度为400~800℃条件下活化10~120min，将活化后的生物质炭在空气中晾干得到工业硅冶炼用生物质炭还原剂。本发明制备过程是以来源丰富、价格低廉、可再生且易于粉碎的生物质为碳源，具有大规模生产价格低、收率高、比电阻高，孔隙率高的工业硅冶炼用生物质炭还原剂的潜能。
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