交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 通过中试
专利所属地：中国
专利号：CN101950685A
交易方式： 资料待完善
联系人： 清华大学
所在地：北京北京市
本发明公开了属于微电子机械制造技术领域的应用于微型超级电容器的一种三维结构聚吡咯微电极及其制造方法。该微电极采用MEMS技术在铜基片表面涂制一层SU-8环氧基负型化学放大胶膜，通过甩胶、前烘、光刻工艺处理、曝光、后烘、显影、漂洗和硬烘工艺，在铜基片表面形成由SU-8胶构成的呈阵列排布的柱状结构，并在铜基片和微柱阵列微电极表面覆盖一层由聚吡咯及导电性材料构成功能薄膜;本发明解决了普通聚吡咯二维平面结构电极无法储存大量电荷且内阻偏高等问题，进而达到了改善微型超级电容器储能特性和大电流放电特性。使用本发明的微型超级电容器，在传感器网络节点电源、微型机器人驱动电源、引信电源领域具有广泛的应用前景。
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