交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：ZL 2013 1 0222456.8
交易方式： 技术入股
联系人： 周斌
所在地：江西省新余市
在制备砷化镓及重参砷晶硅时，原料单质砷的硒和硼是有害的元素，浓度必须控制在硒小于10PPB，硼小于1PPB，经典工艺是用氧化砷或单质砷转化为三氯化砷，再让三氯化砷流经填满单质砷的填料柱除硒得到硒含量很低的三氯化砷，该工艺的不足是填料柱里的砷要定期更换，出硒的稳定性难以控制，硼沸点比三氯化砷低，在精馏三氯化砷时作为低沸物去除硼的氯化物，无论是砷填料除硒和低沸除硼，其稳定性均难以得到很好的控制；如使用无硒和无硼的氧化砷为原料，不管是三氯化砷精馏提纯或者氧化砷蒸馏提纯，均可制的硒含量小于10PPB，硼小于1PPB，稳定性好的高浓度单质砷。
氧化砷中去除硒、硼杂质的工艺方法，是一种制备无硒、无硼的氧化砷的工艺方法，根据原料的不同，具体的步骤也不同，分别以低纯度工业单质砷和低纯度工业氧化砷为原料，制备出无硒、硼杂质的氧化砷，为三氯化神精馏和氧化砷蒸馏提纯制备高纯度单质砷提供无硒无硼的氧化砷原料。
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