交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 可以量产
专利所属地：中国
专利号：ZL200910115323.4
交易方式： 许可转让
联系人： 付明丽
所在地：江西省南昌市
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边，从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外，该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外，该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外，该方法包括去除所述生长衬底。
成果推荐 需求推荐 评估专家推荐 评估机构推荐
Copyright © 2018 宁夏回族自治区生产力促进中心 版权所有 宁ICP备11000235号-3 宁公网安备 64010402000776号
网站访问量： 网站在线人数：0 技术支持：科易网 
微信公众号
