交易价格： 面议
类型： 非专利
技术成熟度： 可以量产
交易方式： 完全转让
联系人： 宁夏技术市场
所在地：宁夏回族自治区银川市
项目简介：以蓝宝石为生长衬底的正装结构氮化镓基发光二极管芯片是目前第三代照明的核心技术。对于正装结构的氮化镓基发光二极管，为了提升出光效率，通常在蓝宝石衬底背面加镀一反射镜。目前，行业主流的技术是采用透明介质堆（如分布式布拉格反射镜，简称DBR），或者叠加金属铝组成全方位反射镜（ODR）。这种技术存在散热性能问题以及反射率仍有提升空间。本专利采用引入式透明黏附层即碳化硅，实现含银复合式背镀反射层结构的氮化镓基发光二级管芯片，获得最大化背镀反射率及最优成本构造。相比于行业现有技术具有明显优越性。
项目核心创新点：本专利采用引入式透明黏附层即碳化硅，实现含银复合式背镀反射层结构的氮化镓基发光二级管芯片，获得最大化背镀反射率及最优成本构造。相比于行业现有技术具有明显优越性。
项目详细用途：以蓝宝石为生长衬底的正装结构氮化镓基发光二极管芯片是目前第三代照明的核心技术。对于正装结构的氮化镓基发光二极管，为了提升出光效率，通常在蓝宝石衬底背面加镀一反射镜。
预期效益说明：采用本专利技术的氮化镓基发光二极管芯片产品可以在最优成本的条件下有效提高发光效率，从而提高芯片产品售价和利润率。
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