[00317080]一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元
交易价格：
面议
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201110056340.2
交易方式：
完全转让
许可转让
技术入股
联系人：
杭州电子科技大学
所在地：浙江杭州市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区和n型缓冲区，第一p型阱区的顶部嵌入n型阴极区和第一p阱欧姆接触区，n型缓冲区的顶部嵌入第二p型阱区和阳极短路点区，第二p型阱区的顶部嵌入第二p阱欧姆接触区；器件单元顶部设置有阴极金属电极和阳极金属电极，n型阴极区的顶部设置有第一场氧化层，n型轻掺杂漂移区的顶部设置有第二场氧化层。本发明提高了器件的纵向耐压，改善了器件的纵向击穿特性，使器件能够适应更高压，更大电流的工作条件，并改善器件的热特性。
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